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三星今明两年将在NAND闪存上投入150亿美元:提质增产
2018/07/13
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分类:科技
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今年以来,Flash闪存供应充足,SSD的价格从去年的高位被“打回原形”,消费者终于可以慢慢挑选了。

据Chosun Ilbo报道,韩国产业链的消息人士透露,三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元,2019年更是会提高到90亿美元。

这些投入首先是用于提高3D闪存的产能,包括位于平泽市和中国西安市的工厂,其次是先进技术。本周,三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存,采用96层堆叠、单Die 32GB容量,领先竞争对手两年的时间。

IC Insights分析指出,三星释放信号仅是个开端,未来几年,SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能,由此可能会出现供应量刹不住车的超调风险。

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